Thông số kỹ thuật:
Điện áp chịu đựng Vce: 600V
Dòng điện cực đại Ic: 75A(ở nhiệt độ TC= 25°C), 47A(ở nhiệt độ TC= 110°C)
Nhiệt độ tối đa: 150°C
Điện áp Vge: ±25V
Công suất Ptot: 250W
IGBT 60N60 là transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực. IGBT 60N60 kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.