[1 CON] IGBT 75T60 TO-247 75A 600V Kênh N (IKW75N60T K75T60 75T60 75N60)

Giới thiệu [1 CON] IGBT 75T60 TO-247 75A 600V Kênh N (IKW75N60T K75T60 75T60 75N60)

IGBT 75N60 TO-247 75A 600V Kênh N (IKW75N60T K75T60 75T60)

Định nghĩa:
- Mosfet, viết tắt của "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor" trong tiếng Anh, là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) tức một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
- Mosfet có khả năng đóng nhanh với dòng điện và điện áp khá lớn nên nó được sử dụng nhiều trong các bộ dao động tạo ra từ trường. Vì do đóng cắt nhanh làm cho dòng điện biến thiên. Nó thường thấy trong các bộ nguồn xung và cách mạch điều khiển điện áp cao.


Mô tả:
Description:
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A

Thông số kỹ thuật:
- Package / Case: TO-247-3
- Mounting Style: Through Hole
- Configuration: Single
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
- Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
- Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
- Pd - Power Dissipation: 428 W
- Minimum Operating Temperature: - 40 C
- Maximum Operating Temperature: + 175 C
- Series: Trenchstop IGBT3
- Packaging: Tube
- Height: 21.1 mm
- Length: 16.03 mm
- Width: 5.16 mm
- Brand: Infineon Technologies
- Continuous Collector Current: 80 A
- Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
- Product Type: IGBT Transistors

Datasheet:
https://www.mouser.vn/datasheet/2/196/Infineon-IKW75N60T-DS-v02_08-EN-77728.pdf
Giá EOTH